时间：2025/5/10 14:16:00
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DMP4013LFG-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Diodes 公司生产。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换应用。其封装形式为 SOT-563 (DFN1010-7)，体积小巧，适合空间受限的设计。
这款 MOSFET 主要用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源管理电路，例如 DC/DC 转换器、负载开关和电池保护电路等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：1.8nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-563 (DFN1010-7)
结温：150℃
DMP4013LFG-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高效率。
2. 高开关速度，适用于高频开关应用。
3. 小巧的封装设计，节省 PCB 空间。
4. 优秀的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 高度可靠的制造工艺，保证长期使用的一致性和稳定性。
这些特点使得该器件非常适合应用于需要高效能和小尺寸解决方案的场合。
DMP4013LFG-7 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的电源管理，如智能手机和平板电脑。
2. 笔记本电脑及外设的负载开关。
3. 各种 DC/DC 转换器和降压电路。
4. 电池管理系统中的保护电路。
5. 工业自动化设备中的小型化功率控制模块。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装，这款 MOSFET 成为许多功率敏感型应用的理想选择。
DMP2008UFG-7
DMP2010UFCE-7
DMP2008UFCE-7
