B141 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件主要用于电源管理和功率开关应用,具备高效率、低导通电阻和良好的热稳定性等特点。B141 通常采用 TO-220 或 TO-252(DPAK)封装形式,适用于多种工业控制、汽车电子和消费类电子设备中。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):0.33Ω(最大值)
功耗(Pd):25W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220、TO-252
B141 功率 MOSFET 具备多项优良的电气和热性能。其低导通电阻(Rds(on))特性可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的高漏源击穿电压(60V)使其适用于多种中低压功率应用。B141 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),提高了其在不同控制电路中的兼容性。该器件还具备良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定工作,适用于高功率密度设计。此外,B141 的封装形式(如 TO-220)便于散热,提升了整体系统的可靠性。
在实际应用中,B141 的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高响应速度,从而优化整体系统性能。其 N 沟道结构使其在导通状态下具有较低的电压降,从而减少了功率损耗并提高了效率。此外,该器件具有较强的过载和短路承受能力,适用于要求较高可靠性的工业和汽车电子应用。B141 的封装设计也便于焊接和安装,适用于自动化生产流程,提高了生产效率。
B141 常用于多种功率电子系统中,例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、开关电源(SMPS)、LED 驱动器以及工业自动化控制系统。此外,该 MOSFET 还适用于汽车电子中的电控模块、车载充电系统以及各类负载开关电路。在消费类电子产品中,B141 也可用于电源管理模块、充电器和逆变器等应用中。由于其具备较高的稳定性和效率,B141 在需要中等功率开关性能的场合中具有广泛的应用前景。
BUZ106S, IRFZ44N, FQP8N60C