时间：2025/9/14 10:47:41
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BUK7S0R7-40H是一款由NXP Semiconductors生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的TrenchPlus技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，适用于各种功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerSO10
BUK7S0R7-40H具有多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具备出色的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作。此外，BUK7S0R7-40H采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够有效降低结温，延长器件使用寿命。其高栅极电压容限（±20V）提高了驱动电路的兼容性和灵活性，适用于多种控制方案。最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计要求。
在开关性能方面，BUK7S0R7-40H具备快速开关能力，降低了开关损耗，特别适合高频应用。其低栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）特性，有助于提高开关速度并减少驱动功率需求。此外，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，可在高应力条件下提供可靠的保护功能。
BUK7S0R7-40H广泛应用于各种高性能功率系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电源管理系统、电池充电器以及工业自动化设备。由于其高效能和高可靠性，它也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和48V轻混动力系统等。
IPB015N06N3 G、IRF1324S-7PPBF、SiZ886DT
