CL21U080DBNC-8P 是一款基于陶瓷材料的多层片式电容器 (MLCC),主要用于高频电路中的滤波、耦合和旁路应用。该型号属于 C0G 介质类型,具有温度稳定性高和低损耗的特点,适合要求苛刻的射频和无线通信环境。
其设计采用了先进的制造工艺,能够提供卓越的电气性能和可靠性。此外,它还具有小型化和表面贴装的特点,便于在现代电子设备中进行自动化生产和组装。
封装:0805
容量:10pF
额定电压:50V
介质材料:C0G
容差:±0.5pF
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
ESR(等效串联电阻):≤10mΩ
Q 因子:≥5000
频率范围:DC 至 3GHz
CL21U080DBNC-8P 的主要特性包括:
1. 温度稳定性极高,C0G 介质确保电容值在宽温度范围内保持恒定。
2. 具有非常低的介质损耗和高 Q 值,适用于高频应用。
3. 小尺寸封装(0805),适合空间受限的设计需求。
4. 高可靠性设计,满足长期使用的严苛条件。
5. 符合 RoHS 标准,环保且兼容无铅焊接工艺。
6. 宽频率响应范围,可覆盖从直流到高达 3GHz 的应用场景。
这款电容器广泛应用于以下领域:
1. 射频模块和无线通信设备中的信号滤波和耦合。
2. 高速数字电路中的电源去耦和噪声抑制。
3. 医疗设备、工业控制和汽车电子系统中的精密信号处理。
4. 雷达系统和其他高性能电子设备中的高频电路设计。
5. 数据转换器和放大器的输入输出匹配网络。
由于其优异的电气特性和稳定性,CL21U080DBNC-8P 成为许多高端应用的理想选择。
CL21B100GAQNC-8P
GRM155C80J100KA93
CKN3D100GACTU