B11NM80 时间：2025/7/23 10:43:13 阅读：8

B11NM80 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高压功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高电压、高电流的应用场合，具备良好的热稳定性和导通性能，广泛应用于工业电源、电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器和照明设备等领域。B11NM80采用了先进的高压MESH OVERLAY技术，能够在高电压下保持较低的导通电阻和优异的开关特性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：11A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：44A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

B11NM80 MOSFET的核心特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达800V，使其适用于高压开关应用。该器件的导通电阻较低，最大值为0.55Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，B11NM80具备较强的电流承载能力，在25°C环境温度下可承受11A的连续漏极电流，短时脉冲电流可达44A。
　　该MOSFET采用了STMicroelectronics专有的高压MESH OVERLAY技术，有效提升了器件的雪崩能量承受能力和热稳定性。这种技术还使得B11NM80在高电压环境下仍能保持良好的开关性能，降低开关损耗。
　　在封装方面，B11NM80采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于各种中高功率应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，兼容多种驱动电路设计。
　　值得注意的是，B11NM80具有较高的可靠性，符合工业级温度范围（-55°C至+150°C），适用于严苛的工作环境。同时，其低栅极电荷（Qg）特性也有助于提升开关速度，降低开关损耗。

应用

B11NM80 MOSFET主要应用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器。其高电压和大电流能力使其成为电机控制、电动工具和工业自动化设备的理想选择。
　　在照明系统中，B11NM80可用于高频镇流器和LED驱动电路，提供高效的开关控制。此外，该器件也广泛应用于逆变器、不间断电源（UPS）和光伏逆变系统中，用于实现高效的能量转换。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，B11NM80还被用于家电产品中的电机驱动，如洗衣机、空调压缩机等。同时，它也可作为高电压负载的开关控制元件，如电磁阀、继电器和电热元件等。