MMSF3P03HDR2 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能。MMSF3P03HDR2采用SOT-223封装形式,适用于空间受限的便携式设备和高密度电源系统。
类型:P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):-30V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):-3.1A
导通电阻(RDS(on)):135mΩ @ VGS = -10V, 180mΩ @ VGS = -4.5V
功率耗散:1.5W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOT-223
MMSF3P03HDR2具备多项关键特性,使其在低电压电源管理系统中表现出色。首先,其P沟道结构和优化的Trench MOSFET设计显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,使其在高频开关应用中具有更快的开关速度,降低了开关损耗。
其次,MMSF3P03HDR2采用了SOT-223表面贴装封装,具有良好的热性能和较小的PCB占板面积,非常适合用于紧凑型设计。该封装还支持自动贴片工艺,提高了制造效率和可靠性。
此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于恶劣环境下的应用。其栅极驱动电压范围较宽(-10V至-4.5V),兼容多种常见的驱动电路,便于设计和集成。
最后,MMSF3P03HDR2通过了AEC-Q101汽车级认证,适用于汽车电子系统中的电源管理应用,如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。
MMSF3P03HDR2广泛应用于多种电源管理场景。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的电源管理系统。此外,该器件也常用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源控制电路。在汽车电子领域,MMSF3P03HDR2可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明驱动电路等。由于其高效率和小型封装的优势,也适用于工业自动化设备和智能传感器系统。
Si3443CDV-T1-GE3, FDMS3618, NTR4182P