MMSF3P03HDR2 时间：2025/9/3 16:44:18 阅读：20

MMSF3P03HDR2 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。MMSF3P03HDR2采用SOT-223封装形式，适用于空间受限的便携式设备和高密度电源系统。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-3.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：135mΩ @ VGS = -10V， 180mΩ @ VGS = -4.5V
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

MMSF3P03HDR2具备多项关键特性，使其在低电压电源管理系统中表现出色。首先，其P沟道结构和优化的Trench MOSFET设计显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中具有更快的开关速度，降低了开关损耗。
　　其次，MMSF3P03HDR2采用了SOT-223表面贴装封装，具有良好的热性能和较小的PCB占板面积，非常适合用于紧凑型设计。该封装还支持自动贴片工艺，提高了制造效率和可靠性。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的应用。其栅极驱动电压范围较宽（-10V至-4.5V），兼容多种常见的驱动电路，便于设计和集成。
　　最后，MMSF3P03HDR2通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。

应用

MMSF3P03HDR2广泛应用于多种电源管理场景。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中的电源管理系统。此外，该器件也常用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源控制电路。在汽车电子领域，MMSF3P03HDR2可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明驱动电路等。由于其高效率和小型封装的优势，也适用于工业自动化设备和智能传感器系统。