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IXDE509SIA 发布时间 时间:2024/9/25 10:50:55 查看 阅读:443

参数

制造商:IXYS
  类型:Low Side
  上升时间:45 ns
  下降时间:40 ns
  传播延迟时间:35 ns
  电源电压(最大值):30 V
  电源电压(最小值):4.5 V
  电源电流:75 mA
  激励器数量:1
  输出端数量:1
  输出电流:9 A(Typ)

封装参数

封装/箱体:SOIC-8
  封装:Tube
  安装风格:SMD/SMT

物理参数

最大工作温度:+125 C
  最小工作温度:-55 C

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IXDE509SIA参数

  • 标准包装94
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型反相
  • 延迟时间18ns
  • 电流 - 峰9A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 30 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装管件