时间：2025/7/22 11:58:40
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AUIRGP4063D 是由 Infineon（英飞凌）公司生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，适用于汽车电子和高功率应用。这款 MOSFET 采用先进的沟槽栅技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，非常适合用于汽车中的 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A（Tc）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.6mΩ @ Vgs = 10V
阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
输入电容（Ciss）：约 3900pF
AUIRGP4063D 是一款高性能功率 MOSFET，具有多个显著的技术特性，适用于各种高功率需求的应用场景。首先，其漏源电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换系统。其次，该器件的连续漏极电流可达 180A，在高电流负载条件下仍能保持稳定运行，这使得它在电机驱动、DC-DC 转换器等高功率密度应用中表现出色。
该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）最大为 2.6mΩ，当栅极驱动电压为 10V 时，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，AUIRGP4063D 采用先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，使其在高频开关应用中具有较低的开关损耗，从而提升整体能效。
器件的栅源电压额定值为 ±20V，具备较高的栅极电压耐受能力，有助于提高系统在复杂电气环境下的可靠性。其输入电容（Ciss）约为 3900pF，在高频应用中需要配合合适的栅极驱动电路以保证快速开关。
为了适应汽车电子等恶劣工作环境，AUIRGP4063D 支持的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，具备良好的热稳定性与可靠性。该器件封装为 D2PAK（TO-263），具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于大规模生产和自动化装配。
AUIRGP4063D 广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。在汽车应用中，它常用于 DC-DC 转换器、电动助力转向系统（EPS）、起停系统、电池管理系统（BMS）以及车载充电器等设备中，满足高可靠性和高效率的要求。在工业领域，该 MOSFET 可用于伺服电机驱动、逆变器、UPS 系统及高功率电源模块，提供稳定的功率输出。此外，AUIRGP4063D 也适用于太阳能逆变器、储能系统等新能源相关设备，支持高效率的能量转换和管理。其低导通电阻和高电流能力使其在大功率负载切换和高效率电源设计中表现出色。
AUIRF4010D, AUIRFP4110, AUIRF4905, AUIRGP4063S
