时间：2025/9/1 8:56:47
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IS43R86400D-5TLI 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，容量为64Mbit（8MB），组织方式为8M x 8。该芯片支持异步工作模式，适用于需要中等容量存储和快速响应时间的应用场景。IS43R86400D-5TLI采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有低功耗、高性能和宽温工作范围等优点，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品等领域。
容量：64Mbit (8M x 8)
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大工作频率：166MHz
数据建立时间：3.5ns
数据保持时间：1.5ns
输出使能到数据延迟：2.5ns
地址建立时间：3.5ns
地址保持时间：1.5ns
IS43R86400D-5TLI 是一款高性能的异步SRAM芯片，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于对存储速度和功耗要求较高的系统设计。
首先，该芯片的访问时间仅为5.4ns，使其能够在高速数据处理环境中快速响应地址变化并输出所需数据。这一特性使得它在需要快速读取操作的嵌入式系统、图像处理模块和网络设备中表现出色。
其次，IS43R86400D-5TLI 工作电压为3.3V，具有较低的功耗表现，适用于便携式设备和对能效要求较高的系统。其低待机电流设计也进一步延长了电池供电设备的续航时间。
此外，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业自动化、车载系统、安防设备等应用场景。
IS43R86400D-5TLI 采用54引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于PCB布局和自动化生产。其引脚兼容性设计也方便与其他SRAM芯片进行替换或升级。
该芯片支持异步操作模式，无需时钟同步即可完成读写操作，适用于多种嵌入式系统架构。同时，其输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号提供了灵活的读写控制方式，便于与不同的控制器接口匹配。
总体而言，IS43R86400D-5TLI 是一款高性能、低功耗、宽温范围的异步SRAM芯片，适用于多种工业和消费类电子产品。
IS43R86400D-5TLI 广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中。其典型应用场景包括嵌入式控制系统、图像采集与处理模块、通信设备（如路由器、交换机）、工业自动化设备、测试仪器、消费类电子产品（如智能电视、游戏机）以及车载电子系统等。由于其高速访问能力和低功耗特性，特别适合用于缓存、帧缓冲、临时数据存储等任务。
CY62167EVLL-55BZS, IS62WV5128GLBLL-55D, IDT71V416SA55B, A6216708A-55PFG, HY62F8108B0A-5
