IS43R86400D-5TLI 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,容量为64Mbit(8MB),组织方式为8M x 8。该芯片支持异步工作模式,适用于需要中等容量存储和快速响应时间的应用场景。IS43R86400D-5TLI采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具有低功耗、高性能和宽温工作范围等优点,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品等领域。
容量:64Mbit (8M x 8)
电源电压:3.3V
访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
最大工作频率:166MHz
数据建立时间:3.5ns
数据保持时间:1.5ns
输出使能到数据延迟:2.5ns
地址建立时间:3.5ns
地址保持时间:1.5ns
IS43R86400D-5TLI 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有高速访问时间和低功耗特性,适用于对存储速度和功耗要求较高的系统设计。
首先,该芯片的访问时间仅为5.4ns,使其能够在高速数据处理环境中快速响应地址变化并输出所需数据。这一特性使得它在需要快速读取操作的嵌入式系统、图像处理模块和网络设备中表现出色。
其次,IS43R86400D-5TLI 工作电压为3.3V,具有较低的功耗表现,适用于便携式设备和对能效要求较高的系统。其低待机电流设计也进一步延长了电池供电设备的续航时间。
此外,该芯片支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行,适用于工业自动化、车载系统、安防设备等应用场景。
IS43R86400D-5TLI 采用54引脚TSOP封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于PCB布局和自动化生产。其引脚兼容性设计也方便与其他SRAM芯片进行替换或升级。
该芯片支持异步操作模式,无需时钟同步即可完成读写操作,适用于多种嵌入式系统架构。同时,其输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号提供了灵活的读写控制方式,便于与不同的控制器接口匹配。
总体而言,IS43R86400D-5TLI 是一款高性能、低功耗、宽温范围的异步SRAM芯片,适用于多种工业和消费类电子产品。
IS43R86400D-5TLI 广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的电子系统中。其典型应用场景包括嵌入式控制系统、图像采集与处理模块、通信设备(如路由器、交换机)、工业自动化设备、测试仪器、消费类电子产品(如智能电视、游戏机)以及车载电子系统等。由于其高速访问能力和低功耗特性,特别适合用于缓存、帧缓冲、临时数据存储等任务。
CY62167EVLL-55BZS, IS62WV5128GLBLL-55D, IDT71V416SA55B, A6216708A-55PFG, HY62F8108B0A-5