时间：2025/8/5 13:21:49
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IXTH96N20P是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用TO-247封装。该器件由IXYS公司制造，适用于高功率和高频开关应用。其设计允许高效的能量转换，同时保持较低的导通和开关损耗。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：96A
最大漏源电压：200V
导通电阻（Rds(on)）：约3.2mΩ
最大功耗：350W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTH96N20P具备多个优势特性，包括低导通电阻、高电流容量和快速开关性能。其低Rds(on)有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高耐用性，适用于苛刻的工作环境。TO-247封装提供良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。
该MOSFET还具备卓越的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持可靠运行。其高频操作能力使其成为开关电源、逆变器和电机控制应用的理想选择。此外，IXTH96N20P具有低门极电荷，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。
IXTH96N20P广泛应用于工业电源、高频开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高功率电子设备中。其高效能特性使其成为需要高可靠性和高效率的电力电子系统中的重要组件。
IXTH96N20X
