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AUIRFSL8409 发布时间 时间:2025/5/12 13:03:23 查看 阅读:10

AUIRFSL8409是一款专为汽车级应用设计的功率MOSFET芯片,采用先进的沟槽式MOSFET技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于要求高效能和可靠性的汽车电子系统。其封装形式为PowerTrench?工艺的TO-263(D2PAK)表面贴装型,非常适合于空间受限的应用场景。
  这款MOSFET的主要用途是作为开关元件,广泛应用于DC-DC转换器、负载切换、电机驱动和逆变器等电路中。由于其符合AEC-Q101标准,因此特别适合于需要高可靠性和长寿命的汽车环境。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:50A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷:27nC
  开关时间(典型值,开启/关闭):15ns/18ns
  结温范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

AUIRFSL8409具备非常低的导通电阻,这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗并提升效率。此外,其高开关速度有助于减少开关损耗,并且能够满足高频工作的需求。同时,器件采用了PowerTrench?技术,确保了更优的散热性能和更高的可靠性。
  为了适应恶劣的汽车工作条件,该器件还具有强大的抗浪涌能力和静电防护能力。此外,它的封装形式支持表面贴装工艺,简化了生产流程,提高了装配效率。
  总之,AUIRFSL8409凭借其卓越的电气性能、坚固的设计以及针对汽车应用的优化,成为众多汽车电子工程师的理想选择。

应用

AUIRFSL8409主要应用于汽车电子领域,具体包括但不限于以下方面:
  1. 汽车DC-DC转换器中的功率开关
  2. 电池管理系统(BMS)中的负载切换控制
  3. 汽车电动助力转向系统(EPS)和其他电机驱动电路
  4. 汽车逆变器用于电源转换
  5. 各类车载充电器和功率调节模块
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款MOSFET能够在上述应用中提供高效、稳定的表现。

替代型号

IRFSL8409, AUIRL8409

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AUIRFSL8409参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)195A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)450 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)14240 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-262
  • 封装/外壳TO-262-3短引线,I2Pak