时间：2025/7/8 14:53:42
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TEVB11R0V05B1X 是一款由 Toshiba（东芝）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于 UMOS IX 系列，专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和高效率的特性。广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。
类型：N沟道 MOSFET
耐压(Vds)：600 V
漏极电流(Id)：12.8 A
导通电阻(Rds(on))：4.9 Ω
栅极电荷(Qg)：35 nC
输入电容(Ciss)：3300 pF
最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220F
TEVB11R0V05B1X 具有以下显著特点：
1. 高电压耐受能力，适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻 Rds(on)，减少了传导损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关速度，能够支持高频操作，降低开关损耗。
4. 极低的反向恢复电荷 (Qrr)，优化了硬开关性能。
5. 提供出色的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
6. TO-220F 封装便于散热管理，并且易于安装在各种电路板上。
这些特性使得该 MOSFET 在需要高效率和高性能的应用中表现出色。
TEVB11R0V05B1X 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，用于汽车电子或工业设备中的电压转换。
3. 电机驱动，例如家用电器中的无刷直流电机控制。
4. 电磁阀驱动，适用于工业自动化控制系统。
5. PFC（功率因数校正）电路，提升能源利用效率。
其高压特性和高效性能使其成为上述应用场景的理想选择。
TEVB11R0V05B1XH, TEVB11R0V05B1XA
