您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2N4400

2N4400 发布时间 时间:2025/6/14 14:20:08 查看 阅读:6

2N4400是一款常见的硅PNP型小信号晶体管,广泛用于低功率放大和开关应用。该器件具有较高的电流增益和频率响应特性,适用于各种电子电路中的音频、射频及脉冲信号的放大与切换。
  2N4400能够承受适度的集电极-发射极电压(Vce)和集电极电流(Ic),其设计确保了稳定性和可靠性,同时具备良好的噪声性能。

参数

最大集电极-发射极电压:60V
  最大集电极电流:200mA
  最大耗散功率:350mW
  直流电流增益(hFE):100~300
  特征频率(fT):150MHz

特性

2N4400拥有以下特点:
  1. 高电流增益,适合需要高放大倍数的应用场景。
  2. 较高的特征频率,能够处理高频信号,适用于射频电路。
  3. 小信号设计,适用于低功率放大和开关功能。
  4. 稳定性良好,能够在宽温度范围内可靠工作(-55°C至+150°C)。
  5. 低成本且易于获取,是许多通用电路的理想选择。

应用

2N4400被广泛应用于以下领域:
  1. 音频和射频信号的放大。
  2. 脉冲信号的生成与控制。
  3. 普通开关电路中的信号切换。
  4. 各种消费类电子产品中作为小功率放大器或开关元件。
  5. 工业设备中的控制信号放大和传输。
  6. 测试测量仪器中的信号调理模块。

替代型号

2N3906
  BUX37
  BC557

2N4400推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2N4400资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • 2N4400
  • NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRA...
  • CDIL
  • 阅览
  • 2N4400
  • NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSIS...
  • MICRO-ELECTRO...
  • 阅览
  • 2N4400
  • General Purpose Transistors(NPN Sili...
  • ONSEMI
  • 阅览
  • 2N4400
  • Small Signal General Purpose Transis...
  • TAITRON
  • 阅览

2N4400参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO6 V
  • 最大直流电集电极电流0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min50
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92
  • 集电极连续电流0.6 A
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散625 mW