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AUIRFN8458TR 发布时间 时间:2025/5/12 15:25:03 查看 阅读:9

AUIRFN8458TR 是一款来自英飞凌(Infineon)的 N 沟道增强型 MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用 TOLL 封装形式,具有出色的电气性能和高可靠性,适用于各种车载电源管理、电机驱动以及负载切换场景。
  这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和优化的开关特性,能够在高频条件下实现高效功率转换。同时,它符合 AEC-Q101 标准,确保在严苛的汽车环境中稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:324A
  导通电阻:0.47mΩ
  栅极电荷:79nC
  输入电容:4050pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TOLL

特性

AUIRFN8458TR 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,其栅极电荷较低,可实现更快的开关速度,从而降低开关损耗。由于采用了先进的制造工艺,该器件能够承受高电流密度,并且在高温环境下仍能保持良好的性能。
  该产品还具备强大的雪崩能力和短路耐量,增强了系统的鲁棒性。同时,其 TOLL 封装不仅提供了出色的散热性能,还支持免焊回流焊接工艺,便于自动化生产。
  AUIRFN8458TR 的高可靠性和优异的电气性能使其成为电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中各类功率转换电路的理想选择。

应用

AUIRFN8458TR 广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 电动助力转向系统 (EPS)
  2. 液压泵和冷却风扇驱动
  3. 车载充电器 (OBC)
  4. DC-DC 转换器
  5. 高亮度 LED 驱动
  6. 燃油泵控制
  7. 动力总成相关负载切换
  由于其出色的性能和耐用性,这款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的场合表现尤为突出。

替代型号

IRFN7888TR, AUIRFN8448TR

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AUIRFN8458TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥20.11000剪切带(CT)4,000 : ¥9.19663卷带(TR)
  • 系列HEXFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)43A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 26A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1060pF @ 25V
  • 功率 - 最大值34W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装PQFN(5x6)