时间：2025/5/20 18:27:53
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RYM002N05T2CL 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型化封装设计，广泛应用于功率转换、负载开关和电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，能够显著提高效率并减少功耗。
型号：RYM002N05T2CL
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：50V
Rds(on)（导通电阻）：2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：93A
Vgs（栅源电压）：±20V
封装形式：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷：24nC（典型值）
输入电容：1840pF（典型值）
RYM002N05T2CL 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在大电流应用中降低功耗。
2. 高电流处理能力，适合需要较大负载的应用场景。
3. 优秀的开关性能，可有效减少开关损耗。
4. 小型化的封装设计，节省电路板空间。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
这些特性使该器件成为高性能电源管理解决方案的理想选择。
RYM002N05T2CL 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护与管理电路。
4. 电机驱动及控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. LED 驱动及汽车电子系统中的功率管理。
其高效能和可靠性使其非常适合于各种高功率密度的设计。
IRLB8721PBF, FDP5500N, AO6822
