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AUIRF7805QTR 发布时间 时间:2025/5/12 12:23:55 查看 阅读:6

AUIRF7805QTR是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET,专为汽车应用设计。该器件采用TO-263-3封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。其坚固的设计使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
  该器件符合AEC-Q101标准,确保在汽车级应用中的可靠性和耐用性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  总功耗:95W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

AUIRF7805QTR具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,适用于高功率密度的应用场景。
  3. 符合AEC-Q101标准,满足汽车电子的严格要求。
  4. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 短路耐受时间较长,提高了系统的安全性与可靠性。
  6. 快速开关性能,有助于减少开关损耗并提高整体效率。

应用

AUIRF7805QTR广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于:
  1. 汽车DC-DC转换器中作为主开关管。
  2. 负载开关或继电器替代方案,用于控制大电流负载。
  3. 汽车电机驱动电路中的功率开关元件。
  4. 照明系统中的功率调节组件。
  5. 各类车载电源管理模块中的关键功率器件。

替代型号

IRF7805,
  AUIRF7805,
  INFINEON_AUIRF7805SOT

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AUIRF7805QTR参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压12 V
  • 漏极连续电流13 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)11 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8
  • 封装Reel
  • 栅极电荷 Qg22 nC
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 典型关闭延迟时间38 ns