FDD4685TF 时间：2025/8/24 23:32:23 阅读：4

FDD4685TF 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及各种高效率功率转换系统中。该 MOSFET 采用了先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于高频率开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：PowerTrench? TFD（双散热引线框架）

特性

FDD4685TF 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中导通损耗大大降低，提高了整体系统效率。
　　其采用的 PowerTrench? 技术优化了硅片结构，减少了开关损耗，使得该器件适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器等。
　　该器件的封装形式为 TFD（Thin-Film Dual），具有优异的热性能和电流承载能力，能够在高功率密度设计中保持稳定的工作温度。
　　FDD4685TF 还具有较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常工作条件下的可靠性。
　　此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常支持 4.5V 至 20V），可以与多种类型的栅极驱动器兼容，增强了设计的灵活性。
　　内置的体二极管能够承受较高的反向恢复电流，适合用于马达驱动和H桥电路等需要频繁反向电流的应用场景。

应用

FDD4685TF 被广泛应用于各种功率电子系统中，如服务器电源、电信电源系统、电池管理系统、电动工具、电动车辆（EV）的功率模块以及工业自动化设备。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为高边或低边开关，配合同步整流技术，提高能量转换效率。
　　由于其高电流能力和低导通损耗，常用于负载开关和电源管理模块中，实现对高功率负载的高效控制。
　　在马达驱动应用中，它能够提供稳定的高电流输出，并具备良好的热稳定性和抗过载能力。
　　同时，FDD4685TF 也适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及储能系统中的功率控制单元。