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FCX1151ATA 发布时间 时间:2025/12/26 8:49:13 查看 阅读:9

FCX1151ATA是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于中低压功率开关场景。该器件采用先进的TrenchMOS技术,具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等多种应用场合。FCX1151ATA封装在SOT-23(小外形晶体管)三引脚封装中,具有体积小、便于表面贴装的优点,适合高密度PCB布局设计。其额定电压为30V,连续漏极电流可达4.4A,能够满足大多数便携式电子设备和消费类电子产品对高效能、低功耗功率器件的需求。此外,该MOSFET还具备良好的栅极电荷特性,有助于降低开关损耗,提升系统整体效率。由于其优异的性能参数与可靠性,FCX1151ATA常被用于笔记本电脑、智能手机、LED驱动电路及电池管理系统等现代电子系统中作为核心开关元件。
  这款器件的工作结温范围为-55°C至+150°C,支持在较宽的环境温度下稳定运行,并具备一定的抗瞬态过载能力。其ESD保护性能也较为出色,可在生产装配过程中提供一定程度的静电防护。作为一款性价比较高的通用型N沟道MOSFET,FCX1151ATA在工业控制、通信设备和家用电器等领域均有广泛应用。制造商提供了完整的技术文档支持,包括详细的数据手册、应用指南和可靠性测试报告,方便工程师进行选型与设计验证。

参数

型号:FCX1151ATA
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  连续漏极电流(ID):4.4A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):17.6A
  导通电阻(RDS(on)):28mΩ @ VGS=10V, ID=2.2A
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.2A
  栅源阈值电压(VGS(th)):1.0V ~ 2.0V
  栅极电荷(Qg):7.5nC @ VGS=10V
  输入电容(Ciss):360pF @ VDS=15V
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

FCX1151ATA采用先进的TrenchMOS工艺制造,这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来显著提高单位面积内的载流子迁移率,从而实现更低的导通电阻和更高的电流承载能力。其典型RDS(on)仅为28mΩ(在VGS=10V条件下),这使得器件在大电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗,有效减少发热并提升电源转换效率。同时,该MOSFET在低栅极驱动电压(如4.5V)下也能维持相对较低的RDS(on),约为35mΩ,因此兼容3.3V或5V逻辑电平驱动,适用于由微控制器或PWM控制器直接驱动的应用场景。
  该器件具备出色的开关特性,其栅极电荷Qg仅为7.5nC(@VGS=10V),意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较少,有助于降低驱动电路的设计复杂度并减少动态损耗。输入电容Ciss为360pF,在同类产品中处于较低水平,进一步提升了其高频响应能力,使其非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流等需要快速开关动作的电路中。此外,FCX1151ATA的热阻性能良好,结到环境的热阻(RθJA)约为350°C/W,结合适当的PCB布线散热设计可有效控制温升。
  安全性方面,FCX1151ATA内置一定的静电放电(ESD)保护能力,HBM模型下可承受高达2kV的静电冲击,提高了器件在自动化贴片和手工焊接过程中的可靠性。其栅源电压最大额定值为±20V,避免因驱动信号异常导致栅氧层击穿。工作结温范围宽达-55°C至+150°C,不仅满足工业级应用需求,也可在恶劣环境下稳定运行。综合来看,FCX1151ATA凭借其高性能、小封装和高可靠性,成为中小功率开关应用中的理想选择之一。

应用

FCX1151ATA因其优异的电气性能和紧凑的SOT-23封装,被广泛应用于多种电子系统中的功率开关与控制环节。在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等,它常用于电池供电路径管理、负载开关控制以及USB充电接口的过流保护电路中,利用其低导通电阻特性最大限度地减少待机功耗和能量损耗。在DC-DC降压或升压转换器中,该MOSFET可作为同步整流管使用,替代传统肖特基二极管以提高转换效率,尤其在高频率工作的开关电源拓扑中表现突出。
  在电机驱动领域,FCX1151ATA可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,作为低端开关管控制电机的启停与方向切换。由于其具备较高的脉冲电流承受能力(IDM=17.6A),能够在短时间内应对电机启动时的大电流冲击,确保系统运行稳定。此外,在LED照明驱动方案中,该器件可用于恒流源的开关调节部分,配合电感和反馈控制实现高效的白光LED亮度调节功能。
  工业控制系统中,FCX1151ATA也常见于传感器模块的电源使能控制、继电器驱动缓冲级以及PLC输入输出单元的信号切换电路。其SOT-23封装易于实现自动化贴装,适合大规模生产;而宽温工作范围则保证了在高温或低温工业环境下的长期可靠性。此外,该器件还可用于热插拔电路、电源多路复用器以及各类低电压数字控制开关应用中,是现代电子设计中不可或缺的基础功率元件之一。

替代型号

MMBT3055LT1G
  FDD390P
  ZXM61P06FTA

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FCX1151ATA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换145MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FCX1151ATR