时间：2025/12/28 19:03:28
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RLSD92Q051C 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适合在中高功率场合下使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：100A
漏极-源极电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.1mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
RLSD92Q051C 采用 Rohm 独有的沟槽栅极结构技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。这种低 Rds(on) 特性使其在高电流应用中表现优异，具有良好的热稳定性和较高的能效。
此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在电压瞬态条件下的可靠性。RLSD92Q051C 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种驱动电路设计，并具备良好的短路保护能力。
在封装方面，TO-247 是一种常用的高功率封装形式，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。该器件还符合 RoHS 环保标准，适用于绿色电子设备的设计。
RLSD92Q051C 常用于以下应用领域：
1. 电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关；
2. 电机驱动器和工业自动化设备；
3. 电池供电系统和电动工具；
4. 汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统；
5. 不间断电源（UPS）和逆变器系统。
R6004END、IRF1404、SiS434DDT、FDMS86101、AUIRF1404S
