类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：200mW
　　过渡频率（fT）：10GHz
　　增益带宽积（hfe @ Ic=2mA）：100 @ 1kHz
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

LMBD770DWT1G 是一款专为高频应用优化的晶体管，其主要特性包括高达10GHz的过渡频率（fT），使其能够在超高频范围内工作。该晶体管采用SOT-323小型封装，便于在高密度PCB设计中使用。其增益带宽积和电流放大系数（hfe）表现出色，在低电流工作条件下也能保持较高的增益，适合用于低噪声放大器和前置放大器电路。
　　此外，该器件的封装设计确保了良好的热稳定性和高频性能，适用于无线通信设备、射频识别（RFID）、无线传感器网络以及消费类电子产品的高频信号处理。其工作温度范围宽，可以在恶劣环境中稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　在电气特性方面，LMBD770DWT1G 的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，功耗限制为200mW，具备一定的过载能力，同时保持低功耗特性。这些参数使其在需要高频率响应和可靠性能的应用中具有优势。

LMBD770DWT1G 主要用于高频电子电路中，如射频放大器、混频器、调制器和解调器等。其高过渡频率和优异的增益特性使其成为无线通信系统、蓝牙模块、Wi-Fi模块、FM收发器和射频前端模块的理想选择。此外，它还广泛应用于音频放大器的前置级、低噪声放大器（LNA）、振荡器以及各类便携式电子产品中的高频信号处理部分。

BFQ68、BFQ69、BFG21、BFG25、BFQ67