时间：2025/8/2 5:32:16
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DMN61D9UDW是一款由Diodes Incorporated推出的P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种低电压功率控制场合。DMN61D9UDW采用SOT-26（TSOT-26）小型封装，便于在空间受限的设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-3.8A（在VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：48mΩ（典型值，VGS = -4.5V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-26（TSOT-26）
DMN61D9UDW具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在VGS = -4.5V时，RDS(on)典型值仅为48mΩ，这使得该器件适用于高效率的电源转换系统。
其次，DMN61D9UDW的漏源耐压为-20V，支持在低电压系统中提供可靠的开关性能。其栅极驱动电压范围宽广（-12V至+12V），可在不同电源条件下稳定工作。此外，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达-3.8A，适用于中小型功率应用。
DMN61D9UDW采用SOT-26小型封装，具备良好的热稳定性，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产。该封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并在空间受限的应用中提供更优的解决方案。
最后，该MOSFET具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内工作，适用于各种工业环境。
DMN61D9UDW广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要高效电源管理的场合。例如，在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中，它可以用作负载开关或电池保护电路的一部分，以实现高效的电能分配和管理。
在DC-DC转换器中，DMN61D9UDW可以作为同步整流器或主开关器件，提升转换效率并减小整体尺寸。此外，它也适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电过程，确保电池安全运行。
该器件还常用于电源管理模块、电机驱动电路、LED照明控制系统以及各种低电压功率控制应用。其小型封装和高可靠性使其成为现代电子设备中不可或缺的功率元件。
Si2301DS、AO4407A、FDC6303、IRML2803
