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AUIRF1405ZSTRR 发布时间 时间:2025/7/8 23:16:56 查看 阅读:8

AUIRF1405ZSTRR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的汽车级 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 封装形式,适用于汽车电子系统中的高频开关和电源管理应用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
  这款 MOSFET 的设计符合 AEC-Q101 标准,确保其能够在恶劣的汽车环境下可靠运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷(典型值):8.6nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

AUIRF1405ZSTRR 提供了出色的电气性能,包括低导通电阻以减少功耗,高开关速度以提高效率,同时具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力。
  此外,其高雪崩击穿能量和鲁棒性使其在瞬态条件下也能保持稳定运行。器件的引脚布局经过优化,方便 PCB 设计和散热管理。

应用

该器件广泛应用于汽车电子领域,例如车载充电器、DC-DC 转换器、电机控制器、LED 驱动器以及电池管理系统(BMS)。同时,它也适用于工业自动化设备中的电源模块和负载切换电路。
  AUIRF1405ZSTRR 的高效能表现和可靠性使其成为汽车电子系统中关键功率转换的理想选择。

替代型号

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AUIRF1405ZSTRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.9 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4780pF @ 25V
  • 功率 - 最大230W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)