类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：80 V
　　栅源电压 (Vgs)：±20 V
　　连续漏极电流 (Id)：160 A
　　导通电阻 Rds(on)：8.2 mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散：250 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：PowerPAK? 10x12 mm
　　技术：沟槽型 MOSFET

LXV16VB821M10X25LL 具备多个关键特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 8.2 mΩ，在 Vgs = 10V 时能够显著降低导通损耗，从而提高系统效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要，因为它有助于减少发热并提升整体性能。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 160A 的连续漏极电流，适用于需要高电流处理能力的电路设计。结合其高功率耗散能力（250W），该器件能够在苛刻的环境条件下保持稳定运行。
　　此外，LXV16VB821M10X25LL 采用 Vishay 的沟槽型 MOSFET 技术，优化了导通和开关性能。该技术还提供了良好的热管理能力，确保器件在高温环境下仍能保持可靠运行。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于工业级和汽车级应用，具有良好的热稳定性。其 PowerPAK? 10x12 mm 封装提供了优异的散热性能，同时具备紧凑的外形尺寸，适合空间受限的设计。
　　最后，LXV16VB821M10X25LL 还具备高雪崩能量耐受能力，增强了其在高压瞬态条件下的可靠性，适用于需要高耐用性的应用场景。

LXV16VB821M10X25LL 主要应用于需要高功率和高效率的电子系统中。其高电流能力和低导通电阻使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关的理想选择。在服务器电源、电信设备和工业控制系统中，该 MOSFET 可用于高效能电源管理。
　　在汽车电子领域，该器件可用于电池管理系统、电机驱动器和车载充电器等应用。其宽工作温度范围和高可靠性确保其在严苛的汽车环境中稳定运行。
　　此外，LXV16VB821M10X25LL 也广泛用于电机控制、逆变器和功率放大器等应用。其出色的开关性能和热管理能力使其在高频率和高功率应用中表现出色。
　　在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于大功率充电器、电源适配器和高功率 LED 照明系统，以提升整体能效并减少发热。

SiR160DP, IPB160N08N3, SQJQ160EP, SiR164DP