M3LD 时间：2025/7/26 6:54:34 阅读：6

M3LD 是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，通常用于DC-DC转换器、开关电源、电池管理系统以及其他高效率功率电路中。M3LD 属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于高频开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

M3LD MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式技术制造，提供出色的热稳定性和电流密度。此外，M3LD 具有较高的栅极电荷（Qg）性能，适用于中高频开关应用，同时具备良好的抗雪崩能力，确保在高应力条件下也能稳定工作。
　　该MOSFET采用了TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产工艺。M3LD 还具备出色的短路耐受能力，使其在电源管理和电机控制等要求苛刻的应用中表现出色。
　　其栅极驱动特性较为平滑，适用于多种栅极驱动电路设计，同时其封装设计允许通过PCB上的大面积铜箔进行有效的散热管理。此外，M3LD 在高温环境下仍能保持稳定的导通性能，确保系统在高负载情况下的可靠性。

应用

M3LD 主要用于高性能电源转换系统，例如同步整流型DC-DC转换器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制系统、功率因数校正（PFC）模块以及工业自动化设备中的电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，M3LD 也常被用于高效率的同步整流拓扑结构中，如Buck、Boost和Flyback转换器。此外，在高功率密度设计中，M3LD 作为主开关或同步整流开关，能够有效提高转换效率并减少热量产生。