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AUIRF1010EZSTRL 发布时间 时间:2025/6/28 13:04:30 查看 阅读:7

AUIRF1010EZSTRL 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,专为汽车电子应用设计。它采用了先进的封装技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性。这款器件非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的应用场景。
  该器件符合 AEC-Q101 标准,确保其在严苛的汽车环境下具有可靠的性能表现。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  电压(Vds):60V
  电流(Id):124A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):37nC
  封装形式:TO-263-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

AUIRF1010EZSTRL 具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(1.5mΩ),有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流(124A),能够支持大功率应用。
  3. 优异的热性能,允许在高温条件下长时间稳定运行。
  4. 符合 AEC-Q101 标准,适合汽车级应用,具备高可靠性和耐用性。
  5. 快速开关特性,可有效降低开关损耗并提升动态响应能力。
  6. 强大的抗雪崩能力,增强了器件在异常条件下的保护功能。
  这些特性使得该器件成为汽车电子领域中理想的功率开关元件。

应用

AUIRF1010EZSTRL 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器和逆变器电路。
  2. 电动助力转向系统(EPS)、制动系统以及其他车辆动力控制模块。
  3. 高效电机驱动电路,如电动车窗、雨刷器和座椅调节装置。
  4. 负载切换和电池保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  由于其卓越的性能和可靠性,AUIRF1010EZSTRL 成为了众多汽车制造商和工业设备厂商的选择。

替代型号

IRF1010Z,
  AUIRF1010TRLPBF

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AUIRF1010EZSTRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 51A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)