类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.9A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：52mΩ（@VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：11nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：8-DFN

FDG6301G采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在低电压应用中具备出色的导通性能和开关效率。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的双通道设计使其适用于多路电源控制或并联使用，以提高电流能力。FDG6301G具有良好的热稳定性，在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的栅极电压，兼容多种驱动电路。其封装形式为8-DFN，具备良好的散热性能，适用于空间受限的高密度电路设计。此外，FDG6301G在高温环境下仍能保持优异的稳定性和可靠性，适合用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件具备较低的开关损耗，适合高频应用，如DC-DC转换器和同步整流器。其优异的热性能使其在高负载条件下仍能维持较低的温度上升，延长系统寿命。

FDG6301G广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、LED驱动电路以及工业自动化设备。其双通道结构和低导通电阻特性使其在并联电源系统和高效率转换器中表现出色。此外，该器件也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源控制模块。

FDG6301G的替代型号包括FDG6302G（双N沟道MOSFET，具有类似参数）、Si3442DV（Vishay出品的双N沟道MOSFET）、AO4406（双N沟道MOSFET，AOS公司出品）以及NTMFS4843N（Nexperia出品的双N沟道Trench MOSFET）。