电容值：1.0 μF
　　额定电压：10 V DC
　　温度特性：X7R
　　电容容差：±10%
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：在 10V 偏压下电容保持率较高
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于 10 mΩ（在 100 MHz 下）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约 0.3 nH
　　绝缘电阻：≥ 50 MΩ 或 R × C ≥ 500 Ω·F（取较大者）
　　耐湿性：符合 IEC 60068-2-30 标准
　　焊接耐热性：符合 J-STD-020 和 IEC 61249-2-21 标准
　　可焊性：符合 IEC 60068-2-20 方法 2La

B82432A1105K 作为 TDK IHP 系列中的代表性产品，具备多项卓越的技术特性，尤其适用于高频与高可靠性要求的应用场景。首先，该电容器采用了先进的多层结构设计与优化的内部电极布局，显著降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而在高频条件下仍能维持极低的阻抗特性。这种低 ESL/ESR 特性使得 B82432A1105K 在 GHz 范围内仍能有效发挥去耦和滤波作用，优于传统 MLCC 器件。其次，该器件使用 X7R 介电材料，具有出色的温度稳定性，即使在极端温度波动环境下也能保持电容值的相对稳定，确保系统运行的一致性。
　　另一个关键特性是其优异的直流偏压性能。在实际应用中，许多 MLCC 在施加直流电压后会出现明显的电容下降现象，而 B82432A1105K 通过材料配方与结构优化，大幅减轻了这一效应，在接近额定电压工作时仍能保持较高的有效电容值，这对于电源轨附近的去耦应用尤为重要。此外，该器件采用镍障层端电极结构（Ni-barrier termination），不仅增强了抗硫化能力，提高了在恶劣环境下的长期可靠性，还保证了良好的可焊性与焊接强度，兼容无铅回流焊工艺。
　　该电容器还具备良好的高频噪声抑制能力，广泛应用于高速数字电路和射频前端模块中，用于消除开关噪声、电源纹波及电磁干扰（EMI）。其微型 0805 封装形式在提供足够电容量的同时，最大限度地减少了对 PCB 空间的需求，满足现代电子产品小型化趋势。同时，该型号经过严格的质量控制流程制造，符合 AEC-Q200 汽车级认证的部分要求，可用于车载信息娱乐系统、ADAS 传感器等对可靠性要求较高的领域。总之，B82432A1105K 凭借其高频性能、稳定性与可靠性，成为高端电子系统中不可或缺的关键元件。

B82432A1105K 广泛应用于对高频性能和稳定性有严苛要求的电子系统中。其主要用途包括射频（RF）电路中的旁路与去耦，例如在蜂窝通信模块（如 4G/5G 模组）、Wi-Fi 和蓝牙射频前端中，用于稳定供电电压并滤除高频噪声。在高速数字系统中，如微处理器、FPGA 和 ASIC 的电源管理单元，该电容器常被部署于核心电源引脚附近，以应对快速电流瞬变并降低电源阻抗，提升系统稳定性。此外，在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，B82432A1105K 因其小尺寸和高性能特点，成为实现紧凑设计与高效能平衡的理想选择。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载导航系统、车载通信单元、摄像头模组和雷达传感器等模块中，特别是在需要抵抗振动、高温和湿度变化的环境中，其可靠的结构设计和抗硫化端电极提供了长期稳定的电气性能。工业控制系统、医疗电子设备以及物联网（IoT）节点也普遍采用此类高性能 MLCC 进行电源净化和信号完整性保障。由于其出色的频率响应特性，B82432A1105K 还可用于 RF 匹配网络和滤波器设计，帮助优化天线系统的阻抗匹配，提高发射效率和接收灵敏度。
　　此外，在测试与测量仪器、射频收发器和基站设备中，该电容器被用作高频滤波元件，以抑制杂散信号和电源耦合噪声，确保信号质量。其宽工作温度范围和稳定的温度系数使其适用于户外或工业级设备，能够在极端气候条件下正常运行。综上所述，B82432A1105K 凭借其优异的电气特性和环境适应能力，已成为现代高频电子系统中电源完整性和信号完整性解决方案的核心组成部分。

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　　 "C1210C105K5RACTU",
　　 "GRM21BR71A105KA01L",
　　 "CL21A105KAQNNNE",
　　 "ZRB18WG105K"
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