时间：2025/6/14 20:13:34
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PSMN1R3-30YL,115 是一款由 NXP（恩智浦）生产的功率 MOSFET，属于 PSMN 系列。该器件采用 SO8 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用。它广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信设备中。
型号：PSMN1R3-30YL,115
类型：MOSFET（功率场效应晶体管）
封装：SO8
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：94A
Qg（栅极电荷）：12nC
f（工作频率）：高达几百kHz
Ptot（总功耗）：37W
Tj（结温范围）：-55°C 至 +175°C
PSMN1R3-30YL,115 的主要特点是其极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 1.3mΩ（在 Vgs=10V 时），这使得器件在大电流应用中能够有效降低传导损耗。
此外，它的栅极电荷较低，有助于实现快速开关并减少开关损耗。
该器件还具备较高的漏极电流 Id 和宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性。
由于采用了 SO8 封装，该产品在设计中易于布局和散热管理。
PSMN1R3-30YL,115 可用于多种功率转换和控制场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies）中的同步整流器
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关
3. 电机驱动电路中的功率级元件
4. 消费类电子产品的负载开关
5. 工业设备中的电磁阀和继电器驱动
6. 电池管理系统中的保护和切换元件
PSMN0R9-30YL
PSMN0R7-30YL
PSMN1R0-30YL
