AU01-20 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块内部集成了多个MOSFET芯片,采用先进的封装技术,以提供高效、稳定的功率转换能力。AU01-20 主要用于电动汽车(EV)、可再生能源系统、工业电源和电机控制等高功率密度应用场景。
类型:MOSFET模块
漏源电压(VDS):1200V
连续漏极电流(ID)@25°C:400A
导通电阻(RDS(on)):1.2mΩ(典型值)
封装形式:双面散热模块(DSHVMD)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
短路耐受能力:600V/400A
最大功耗:1.8kW
芯片技术:SiC(碳化硅)或Si MOSFET(视具体版本而定)
AU01-20 模块具备优异的热管理和电气性能,能够承受高电流和高压应力。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该模块采用双面散热结构,使得热量能够通过模块的顶部和底部同时散发,从而提升散热效率,延长器件寿命。其内部MOSFET芯片具备良好的短路保护能力,可在异常工作条件下提供可靠的保护机制。该模块还具有低寄生电感设计,有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。此外,AU01-20 在高频开关应用中表现出色,适合用于逆变器、DC-DC转换器和电机驱动系统。
在封装方面,AU01-20 采用了高集成度的设计,使得模块体积小巧,便于在紧凑空间中安装。其封装材料具备高绝缘强度和机械稳定性,确保在恶劣环境下也能稳定运行。模块还具备良好的耐腐蚀性和高湿度耐受能力,适合在工业和车载环境中使用。
AU01-20 广泛应用于电动汽车的主驱逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、工业电机驱动器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)以及高功率电源系统。由于其高功率密度和高可靠性,特别适合需要高效能和高稳定性的应用场景。
FS800R12PT4, BSM400D12P2E007, SCT3040KL, IXFN400N120