晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SB1366-Y晶体管具有多种优良特性，使其适用于广泛的电子应用。其主要特性包括高过渡频率（fT），支持高达100MHz的工作频率，适合高频放大和高速开关应用。此外，该晶体管提供较高的电流增益（hFE），其范围为110至800，具体取决于晶体管的等级，这使得它能够有效地放大微弱信号。晶体管的集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为50V，提供了较高的电压耐受能力，适合中等功率应用。最大功耗为300mW，使其能够在适度的散热条件下运行。晶体管的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适用于各种环境条件下的稳定工作。此外，该晶体管采用小型封装，便于在紧凑的电路板设计中使用。
　　2SB1366-Y的电流特性也非常适合用于需要稳定性和可靠性的电路设计。例如，在放大电路中，它可以提供良好的线性度，减少信号失真。而在开关电路中，该晶体管的快速响应能力使其能够高效地切换负载。此外，其较高的频率响应特性使其成为射频（RF）和中频（IF）放大器设计中的理想选择。对于需要低噪声和高灵敏度的应用，该晶体管的性能也表现出色。总之，2SB1366-Y以其多用途性和稳定性，成为电子工程师在高频和高功率应用中的首选晶体管之一。

2SB1366-Y晶体管因其优异的高频特性和功率处理能力，被广泛应用于多个电子领域。它常用于音频放大器、射频放大器和中频放大器中，以提供高增益和低噪声性能。此外，该晶体管还适用于低功率开关电路，如继电器驱动、LED控制和电源管理应用。在通信设备中，该晶体管可用于信号放大和调制解调电路。它还常见于消费类电子产品中，如收音机、电视机和音响设备。在工业控制系统中，该晶体管可以用于传感器信号放大和控制电路。由于其能够在较高频率下稳定工作，它也适用于无线通信模块和数据传输设备。

2SB1366-O, 2SB1366-GR, 2SB1366-BL