时间：2025/12/28 20:54:18
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ATV04A161JB-HF 是由 Advanced Power Technology（简称 APT，现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的Trench沟槽工艺，具备低导通电阻、高耐压和高效率的特点。ATV04A161JB-HF适用于各种工业控制、电源转换、电机驱动和DC-DC转换器等应用场景，具备较强的热稳定性和耐用性。该器件采用TO-247封装，适用于高电流和高散热要求的电路设计。
类型：功率MOSFET
结构：N沟道
漏源电压（VDS）：160V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：260A
导通电阻（RDS(on)）：4.1mΩ
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：TO-247
ATV04A161JB-HF 具备多项优良特性，适用于高性能功率开关应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为4.1mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这使得该MOSFET在高电流工作条件下仍能保持较低的温升，增强了系统的稳定性和可靠性。
其次，该器件的漏源电压（VDS）为160V，适用于中高功率电压等级的应用，如工业电源、DC-DC转换器和逆变器等。其栅源电压（VGS）范围为±20V，具备较强的栅极控制能力，能够在较高的开关频率下稳定工作。
此外，ATV04A161JB-HF采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适合在高功率密度和高可靠性要求的环境下运行。该封装结构便于安装在散热片上，有效提升了热管理能力。
值得一提的是，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，优化了导通和开关性能，同时减少了开关过程中的能量损耗。这种设计使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高电源系统的整体效率和响应速度。
ATV04A161JB-HF还具备较强的抗雪崩能力和过载能力，能够在突发的高电压或高电流条件下保持稳定运行，从而提高了器件在复杂工作环境下的安全性和耐用性。
ATV04A161JB-HF MOSFET 主要应用于高功率开关领域。其典型应用场景包括工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及各类功率调节设备。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
例如，在工业自动化设备中，ATV04A161JB-HF可用于构建高效率的直流电机控制器或伺服驱动系统；在新能源领域，该MOSFET可用于太阳能逆变器中的直流到交流转换模块，以提高能源转换效率；在电源管理方面，该器件可用于构建高效的多相DC-DC转换器，为高性能计算设备提供稳定的电源供应。
此外，ATV04A161JB-HF也广泛应用于各类高功率开关电源（SMPS）中，如服务器电源、电信设备电源和工业控制电源等。其高耐压和高散热能力使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定运行，适用于要求长时间连续工作的工业环境。
对于电动车和储能系统，该MOSFET可用于电池充放电管理系统（BMS）中的功率开关部分，确保电池组在高电流充放电过程中安全稳定运行。
SPW47N60CFD, IRFP260N, IXFH260N10P3, APT260N10B2LL
