时间：2025/9/5 16:17:08
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LTSTS321TGKT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换的应用中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高功率密度，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及电池供电设备等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
功率耗散（PD）：80W
LTSTS321TGKT 具备多项优异特性，确保其在各种高功率应用中稳定运行。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力（高达 50A）使其适用于高功率密度设计。
其次，该 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合紧凑型 PCB 设计。此外，该封装形式无引脚设计有助于减少寄生电感，提高开关性能。
该器件支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），兼容多种驱动电路设计，并具有较强的抗干扰能力。其工作温度范围广泛（-55°C 至 175°C），可在严苛环境下稳定运行。
LTSTS321TGKT 还具备卓越的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发电压冲击下的可靠性。同时，该器件符合 RoHS 标准，支持环保设计。
LTSTS321TGKT 常用于多种功率电子系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制模块以及电池管理系统（BMS）。在服务器电源、汽车电子、工业自动化设备和消费类电子产品中，该 MOSFET 可有效提升能效和系统稳定性。
例如，在同步整流电路中，LTSTS321TGKT 以其低 RDS(on) 减少传导损耗，从而提升转换效率；在电机控制应用中，其高电流能力与快速开关特性有助于实现更精确的转矩控制和节能效果。
此外，该器件也适用于高侧或低侧开关应用，如负载开关、LED 驱动器和电源管理单元，能够有效控制功率流动并保护系统免受过载影响。
STL321T4, FDP5030BL, IRF3207, SiR340DP
