类型：硅二极管
　　最大正向电流：300 mA
　　最大反向电压：100 V
　　正向压降：1.0 V（最大）
　　反向漏电流：100 nA（最大）
　　最大功耗：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　结电容：4 pF（典型值）
　　恢复时间：4 ns（典型值）

HSM221C/MMBD4148/A2 具有快速恢复时间，适合高频开关应用，能够在高频率下高效工作，减少开关损耗。此外，其低正向压降特性有助于提高能效，减少功率损耗。
　　这款二极管还具有良好的温度稳定性，可以在较宽的温度范围内正常工作，适用于恶劣环境下的电子设备。其小尺寸封装也使其适用于高密度电路板设计，节省空间的同时提供可靠的性能。
　　此外，HSM221C/MMBD4148/A2 还具备较高的抗静电能力，能够有效防止因静电放电（ESD）引起的损坏，适用于需要较高可靠性的电路保护应用。其低泄漏电流特性也有助于在高阻抗电路中保持稳定的信号完整性。

HSM221C/MMBD4148/A2 通常用于高频整流、信号检测、电压钳位、保护电路和开关电源等应用场景。在通信设备中，该器件可用于射频信号处理和电源管理模块；在消费类电子产品中，可用于电池充电保护、信号整流和数据线路保护。
　　该器件还常用于微处理器和数字电路中的输入/输出保护，防止因过电压或反向电流导致的损坏。在工业控制系统中，它可应用于传感器信号调理和电源转换电路。此外，在汽车电子系统中，如车载充电系统、电源管理模块和信号处理电路中也有广泛应用。
　　由于其优异的高频性能和稳定性，HSM221C/MMBD4148/A2 也常用于射频识别（RFID）、无线通信模块和测试测量设备中。

MMBD4148, 1N4148WS, LL4148, BAS416