TND027MP 时间：2025/4/29 14:21:44 阅读：21

TND027MP是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点。其封装形式通常为SOT-23，适合于紧凑型设计需求。
　　该MOSFET主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，能够在低电压驱动下实现高效的功率转换。

参数

型号：TND027MP
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±8V
　　最大漏极电流(ID)：2.7A
　　导通电阻(RDS(on))：65mΩ@VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：9nC
　　开关时间：ton=11ns, toff=19ns
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

TND027MP具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻：RDS(on)仅为65mΩ，能够减少功率损耗并提高效率。
　　2. 快速开关性能：较小的栅极电荷和短开关时间使其非常适合高频应用。
　　3. 高可靠性：能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，并具备良好的热稳定性。
　　4. 小型化封装：SOT-23封装节省了电路板空间，适合便携式和紧凑型设备。
　　5. 低电压驱动能力：即使在较低的栅极驱动电压下，也能保持较低的导通电阻，特别适合电池供电设备。

应用

TND027MP广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和DC-DC转换器。
　　2. 电池管理系统的充放电控制。
　　3. 消费类电子产品的负载开关和保护电路。
　　4. 通信设备中的信号切换和功率分配。
　　5. 工业自动化设备中的电机驱动和继电器替代方案。
　　6. LED驱动电路中的电流调节和亮度控制。