时间：2025/9/16 1:19:40
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ATF-13786-TR1G 是一款由 Microchip Technology（微芯科技）生产的高性能射频（RF）场效应晶体管（FET），属于其 ATF 系列产品线。该器件专为低噪声、高线性度和宽带应用而设计，适用于无线通信、测试设备、工业控制系统以及射频放大器等多种高频应用场景。ATF-13786-TR1G 采用 GaAs（砷化镓）工艺制造，具有优异的噪声系数和增益性能，适合用作低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。
类型：射频FET（RF FET）
晶体管类型：增强型pHEMT
频率范围：DC ~ 4 GHz
增益：18.5 dB @ 1 GHz
噪声系数：0.65 dB @ 1 GHz
输出功率：27 dBm @ 1 GHz
工作电压：+5V
工作电流：100 mA
封装类型：SOT-343
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
ATF-13786-TR1G 是一款高性能射频晶体管，具备多项显著的技术特性。其增强型 pHEMT（伪高电子迁移率晶体管）结构使其在无需负电压供电的情况下仍能保持稳定的工作状态，简化了电源设计，提高了系统可靠性。
在射频性能方面，该器件在1 GHz频率下的增益高达18.5 dB，具有出色的信号放大能力，适用于中频和高频段的放大应用。同时，其噪声系数仅为0.65 dB，非常适合用作低噪声放大器（LNA），能够在弱信号接收系统中显著提高信噪比，提升系统灵敏度。
此外，ATF-13786-TR1G 的输出功率可达27 dBm，具备较高的线性输出能力，适合用于中等功率的射频驱动放大器。其工作频率范围覆盖从直流到4 GHz，适用于包括Wi-Fi、WiMAX、蜂窝通信、卫星通信和测试仪器在内的多种现代无线通信系统。
该器件采用+5V单电源供电，典型工作电流为100 mA，功耗低且易于集成到现有的射频模块中。封装形式为SOT-343，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。
总体而言，ATF-13786-TR1G 凭借其高增益、低噪声、宽频率范围和良好的线性性能，成为多种射频前端应用的理想选择。
ATF-13786-TR1G 广泛应用于多种射频和微波系统中。常见的应用包括低噪声放大器（LNA）、中频放大器、无线基站接收器前端、测试与测量设备、Wi-Fi和WiMAX通信模块、卫星通信系统、RFID读写器以及工业控制和监测设备中的射频信号放大环节。
ATF-55143, ATF-54143, BGA2827
