SF16G 是一款常用于电力电子领域的功率半导体器件,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的一种。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具备较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等领域。SF16G通常采用TO-220或类似的封装形式,具备良好的散热性能,适合在中高功率环境下使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):160A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约2.8mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-220AB
功率耗散(PD):160W
阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V
SF16G的主要特性之一是其非常低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具备较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行。其快速的开关速度使其适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC转换器等。
SF16G的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动损耗,从而进一步提升整体能效。同时,其具备良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定性能,适合在严苛的工作条件下使用。
该器件还具有较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。此外,SF16G的封装设计有助于提高散热效率,确保在连续高功率运行时仍能保持较低的结温。
SF16G广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源供应器、LED驱动电源、UPS不间断电源、工业自动化控制系统等。
由于其高效率和高电流承载能力,SF16G常用于需要高效能功率转换的场合,例如电动汽车充电系统、太阳能逆变器、服务器电源模块等。在这些应用中,SF16G的低导通电阻和快速开关特性可以显著提高系统效率并减少热量产生。
IRF1405, FDP160N60, SiR160DP