时间：2025/4/30 11:14:00
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SIR836DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型的 SOT-23 封装形式。该器件适用于低电压、低导通电阻的应用场景，具有出色的开关性能和较低的导通损耗。由于其封装体积小且性能优越，广泛用于消费电子、通信设备及工业控制等领域中的电源管理电路。
最大漏源电压：30V
最大栅极驱动电压：±20V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
总功耗：980mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
SIR836DP-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，在 4.5V 栅极驱动电压下仅为 7.5mΩ，能够显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高浪涌能力，能够承受瞬时大电流冲击。
4. 小型化封装设计，便于在紧凑型电路板中使用。
5. 静电防护能力强，符合工业级标准。
6. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
SIR836DP-T1-GE3 常见的应用领域包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动电路。
5. 各种便携式设备中的电源管理模块。
6. 工业控制系统中的信号切换和保护电路。
SIR836DPTR-E3,SIR836DPN-E3
