时间：2025/6/14 8:59:04
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AT34C02N-10SI-2.7 是一款非易失性 SRAM (NVSRAM)，它结合了静态随机存取存储器 (SRAM) 和 EEPROM 的功能，能够在断电时自动将数据保存到非易失性存储器中。该芯片具有高速度、低功耗和高可靠性的特点，适用于需要频繁写入且要求数据持久保存的应用场景。
AT34C02N-10SI-2.7 使用电池备份或超级电容作为辅助电源，在主电源失效时保护数据完整。此外，它还支持 I2C 接口，简化了与微控制器或其他设备的连接。
容量：2K x 8 bits
接口：I2C
工作电压：2.7V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC-8
数据保存时间：10年（典型值）
写入周期：无限（SRAM部分），10万次（EEPROM部分）
AT34C02N-10SI-2.7 具备以下主要特性：
1. 非易失性存储：通过内部机制，在掉电时可自动将 SRAM 数据转移到 EEPROM 中，确保数据不会丢失。
2. 高速 I2C 接口：支持高达 400kHz 的通信速率，满足快速数据传输需求。
3. 自动切换电源管理：当主电源失效时，芯片会无缝切换到备用电源（如电池或电容），以维持数据完整性。
4. 小型封装：采用 SOIC-8 封装，适合空间受限的设计。
5. 宽温操作：能在工业级温度范围内稳定工作，适应多种环境条件。
6. 超低功耗：待机模式下电流极低，延长电池寿命。
AT34C02N-10SI-2.7 广泛应用于对数据安全性要求较高的领域，例如：
1. 工业自动化：用于保存关键配置参数或运行状态信息。
2. 医疗设备：记录患者数据或设备日志。
3. 计量仪表：如电表、水表等，用以存储累积用量等重要数据。
4. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪等需要临时缓存和断电保护的应用。
5. 通信系统：存储网络设置或历史记录。
AT34C02N-10GI-2.7, AT34C02N-10SI-5.0
