您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PQ15RF2

PQ15RF2 发布时间 时间:2025/8/28 2:22:32 查看 阅读:13

PQ15RF2 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件专为高频率和高效率的应用而设计,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及各种需要高电流能力的场合。PQ15RF2 采用小型封装,具有低导通电阻、高耐压和高电流能力的特点,能够有效降低功率损耗,提高系统整体效率。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):4.7A(最大)
  导通电阻(RDS(on)):0.056Ω @ VGS=10V
  功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TSMT6

特性

PQ15RF2 具备多项优异特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,有助于提高系统效率并减少发热。该 MOSFET 的最大漏极电流为 4.7A,能够支持较高负载的应用需求。其 30V 的漏源耐压能力适用于多种中低电压功率转换场景。
  此外,PQ15RF2 采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构,优化了开关性能,减少了开关损耗,使其适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间正常工作,增强了与不同驱动电路的兼容性。
  该器件的封装形式为 TSMT6,属于小型表面贴装封装,有助于节省 PCB 空间,适用于紧凑型设计。PQ15RF2 还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合在各种工业环境和消费类电子产品中使用。
  在可靠性方面,PQ15RF2 具有较高的抗静电能力和过热保护性能,有助于延长器件寿命并提高系统的稳定性。

应用

PQ15RF2 广泛应用于多个领域。在电源管理系统中,它常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路中,实现高效的能量转换与控制。由于其高频特性,PQ15RF2 也适用于开关电源(SMPS)中的同步整流器部分,有助于提升电源效率。
  在电机控制方面,PQ15RF2 可作为 H 桥电路中的功率开关,用于驱动小型直流电机或步进电机,广泛应用于机器人、打印机、自动售货机等设备中。此外,它还适用于 LED 照明驱动电路,能够提供稳定的电流控制,确保 LED 的高效运行和长寿命。
  消费类电子产品中,PQ15RF2 可用于笔记本电脑、平板电脑、智能音箱等设备的电源管理模块,实现对系统各部分的高效供电控制。在工业自动化设备中,它也可用于传感器控制、继电器驱动和电源切换等应用。
  由于其小型封装和高性能特性,PQ15RF2 也适用于便携式电子设备中的负载开关设计,如智能手机、可穿戴设备等,帮助实现低功耗管理和延长电池续航时间。

替代型号

Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDMS86101

PQ15RF2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PQ15RF2资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载