时间：2025/7/10 12:22:05
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IPF090N03LG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效能的特点，非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效率和低损耗的应用场景。此器件封装形式为TO-Leadless（TOLL），能够提供良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：开通延迟时间 74ns，关断传播时间 55ns
工作结温范围：-55℃至175℃
IPF090N03LG采用沟槽式MOSFET结构设计，具备以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷（Qg），支持高频开关应用。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 热增强型TOLL封装，提供高效的散热性能。
5. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
IPF090N03LG适用于广泛的工业和汽车应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制和逆变器。
3. 工业自动化设备中的负载切换和驱动电路。
4. DC-DC转换器中作为主开关或同步整流元件。
5. 充电器及适配器内的功率级控制。
6. 各类大电流、低电压的电力电子系统。
IPW90N03L, IPS090N03L
