型号：ASU1GA30HT-G25CA
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID) @25℃：170A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：680A
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=10V：0.95mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=4.5V：1.3mΩ
　　栅极电荷(Qg) @VDS=15V, ID=85A：85nC
　　输入电容(Ciss)：7000pF
　　输出电容(Coss)：1500pF
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　阈值电压(Vth)：典型值2.0V，范围1.5~2.5V
　　功耗(PD)：200W
　　工作结温(Tj)：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：DFN5x6 (5mm x 6mm)
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　符合RoHS标准：是
　　车规认证：AEC-Q101

ASU1GA30HT-G25CA采用AOS先进的TrenchFET?技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的完美平衡。其RDS(on)在VGS=10V时仅为0.95mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，显著降低了传导损耗，尤其适用于大电流工作的DC-DC降压变换器和同步整流电路。器件的栅极电荷Qg仅为85nC（测试条件VDS=15V，ID=85A），这一低值使得MOSFET在高频开关应用中能够有效减少驱动损耗，提高电源系统的整体效率。同时，较低的输入电容Ciss（7000pF）也降低了栅极驱动电路的负担，有助于简化驱动设计并减少驱动芯片的功耗。
　　该器件具备出色的热稳定性与可靠性，DFN5x6封装不仅体积小巧，还通过底部暴露焊盘实现高效的热传导路径，使结到外壳的热阻RθJC低至0.35℃/W，确保在高功率运行条件下仍能保持较低的工作温度。结合高达200W的功率耗散能力，ASU1GA30HT-G25CA可在紧凑型电源模块中长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+175℃）使其能够在极端环境温度下可靠工作，特别适用于车载电源、工业控制和通信电源等领域。
　　此外，该MOSFET通过了AEC-Q101应力测试认证，满足汽车级元器件的严苛可靠性要求，可用于发动机控制单元、车载充电机、电动助力转向系统等关键应用。器件内部结构经过优化，具有较低的寄生电感和电容，提升了抗噪声能力和开关速度。反向恢复时间trr为18ns，表明体二极管具备较快的恢复特性，有助于减少交叉导通风险，提升半桥或同步整流拓扑中的系统效率。综合来看，ASU1GA30HT-G25CA是一款面向高功率密度、高效率和高可靠性需求的先进功率MOSFET解决方案。

ASU1GA30HT-G25CA广泛应用于需要高效能、大电流和小型化设计的电力电子系统中。其主要应用领域包括车载电源系统，如12V车载DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、车载信息娱乐系统电源模块以及电动车辆中的辅助电源单元。由于其通过AEC-Q101认证，具备良好的温度稳定性和长期可靠性，因此非常适合部署在汽车电子环境中。
　　在工业与通信领域，该器件常用于服务器电源、电信整流器、POL（Point-of-Load）转换器以及FPGA或ASIC供电的多相VRM（电压调节模块）。其低RDS(on)和快速开关特性有助于实现更高的能效和更小的散热设计，满足绿色能源和节能标准的要求。
　　此外，ASU1GA30HT-G25CA也适用于大功率负载开关、电机驱动电路、热插拔控制器以及高电流LED驱动电源。在消费类高端电子产品中，如游戏主机、高性能笔记本电脑的电源管理单元中也有广泛应用。其DFN5x6封装支持自动化贴片生产，兼容现代SMT工艺流程，有利于大规模制造和成本控制。总之，该器件凭借其优异的电气性能和坚固的封装设计，已成为多种高要求电源架构中的关键元件。

AOZ5316NQI-02
　　IPD95N30C3
　　BSC010N03LS