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ASM809REUR+T 发布时间 时间:2025/5/12 17:37:01 查看 阅读:14

ASM809REUR+T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高效率、高频率开关电源和电机驱动等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统性能。
  这款器件支持广泛的电压和电流范围,通常用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域。其封装形式为表面贴装类型,便于自动化生产和焊接。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关速度:40ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

ASM809REUR+T 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效电源设计。
  3. 高击穿电压和大电流承载能力,确保在严苛环境下的稳定运行。
  4. 紧凑型表面贴装封装,简化了 PCB 布局并提升了散热性能。
  5. 优异的热稳定性,在高温条件下仍能保持出色的电气性能。
  6. 内置 ESD 保护功能,增强产品的可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 各类电机驱动器,如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 工业逆变器和 UPS 系统。
  4. 充电器和适配器。
  5. 汽车电子中的辅助功能模块,例如电动座椅调节或雨刷控制。
  6. LED 照明驱动电路。

替代型号

ASM809REUR+L, IRF840, FDP5700N

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