时间：2025/4/28 16:19:34
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LQW18AN22NG00D 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型器件。该芯片专为高效率开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适合在各种电源管理场景中使用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。其封装形式为 LFPAK8 封装，能够提供卓越的散热性能和可靠性。
该器件采用先进的半导体制造工艺，优化了沟道结构以降低导通损耗，同时具备出色的开关速度，从而提高了系统的整体能效。LQW18AN22NG00D 的工作电压范围较宽，并且具备强大的电流处理能力。
最大漏源极电压：30V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：50A
导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ
总栅极电荷：60nC
输入电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高额定电流能力，能够满足大功率负载的需求。
4. 先进的 LFPAK8 封装技术，提供良好的热性能和电气性能。
5. 工作温度范围广，适用于严苛环境下的应用。
6. 内置 ESD 保护功能，提升了器件的鲁棒性和可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制模块。
5. 通信设备中的高效 DC-DC 转换器。
6. 汽车电子系统中的功率分配和驱动控制。
LQW18AN18NG00D
LQW18AN28NG00D
IRF3205
FDP5500
AON7727
