AS81F161622C-6P 是一款由Alliance Semiconductor公司生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速SRAM系列,适用于对数据存取速度要求较高的应用场合。其主要功能是提供高速数据存储和读取,无需刷新电路即可保持数据,相较于动态RAM(DRAM)具有更高的稳定性和访问速度。AS81F161622C-6P 采用CMOS技术制造,具有低功耗、高可靠性和良好的抗干扰性能,是工业控制、通信设备和嵌入式系统中常用的关键存储元件之一。
容量:256K × 16位
组织结构:256K × 16
电源电压:3.3V 或 5V(具体取决于后缀标识)
访问时间:6 ns(最大)
封装类型:48引脚TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
读写操作:异步模式
输出类型:三态缓冲输出
控制信号:片选(CE)、输出使能(OE)、写使能(WE)
功耗:典型工作电流约180mA(待机模式下电流小于10mA)
AS81F161622C-6P是一款高性能异步SRAM芯片,具备快速访问时间和低功耗设计。其6 ns的访问时间使其适用于高速缓存、实时数据缓冲和高性能嵌入式系统中的数据存储需求。该芯片支持异步读写操作,能够适应多种主控设备的接口时序要求,无需额外的同步时钟信号,简化了系统设计。CMOS制造工艺确保了芯片在高速运行下的低功耗表现,同时提高了抗噪声能力和稳定性。此外,其三态缓冲输出设计支持总线共享,使得多个设备可以在同一数据总线上进行通信,提高了系统的集成度和灵活性。AS81F161622C-6P还具有宽电压工作范围,适用于3.3V和5V系统,增强了其在不同应用环境下的兼容性。工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣环境中稳定运行,适用于工业控制、网络设备、通信系统等对可靠性要求较高的应用场景。
AS81F161622C-6P 主要应用于需要高速数据存储和快速访问的场合,如工业控制系统的数据缓冲、网络设备的路由表存储、通信设备的数据交换缓存、图像处理设备的帧缓存以及嵌入式系统的临时存储模块。此外,它还可用于测试仪器、自动化设备和高性能计算模块中,作为高速缓存或临时数据存储单元,以提高系统响应速度和数据处理效率。
ISSI IS61LV25616-6T、Cypress CY62148BLL-55ZS、Renesas IDT71V416SA-6P