类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流 (Id)：24A
　　漏极-源极击穿电压 (Vds)：1000V
　　栅极-源极电压 (Vgs)：±30V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.32Ω
　　功率耗散 (Ptot)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC

IXFX24N100Q2 具有多个优异的电气和热性能特性。其高耐压特性 (1000V) 使其适用于高电压环境，如工业电源和电机驱动器。该器件的低导通电阻 (Rds(on)) 为 0.32Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 的最大漏极电流为 24A，能够在高负载条件下稳定运行。
　　这款功率 MOSFET 还具备良好的热稳定性，其最大功率耗散为 200W，并采用 TO-247AC 封装，有助于散热并提高可靠性。该器件的宽工作温度范围 (-55°C 至 +150°C) 使其适用于极端环境条件下的应用，例如电动车辆和太阳能逆变器。
　　IXFX24N100Q2 的栅极驱动电压范围为 ±30V，具有较高的抗干扰能力，并支持快速开关操作，从而减少开关损耗。此外，其快速恢复特性使其在高频开关应用中表现出色。

IXFX24N100Q2 通常用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。其主要应用包括工业电源、电机驱动器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器、电动车充电系统以及高功率 DC-DC 转换器。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件在这些应用中能够有效提高系统效率并减少热量产生。此外，其优异的热管理和可靠性使其成为高温或恶劣环境中的理想选择。

STW24N100M5, FCP24N100QT, FDPF24N100AS