时间：2025/12/29 13:51:45
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AS6C6264-55SCN是一款由Alliance Semiconductor公司制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），其容量为8K x 8位，即总共64K位的存储容量。该芯片采用CMOS技术制造，具有高速访问时间、低功耗以及宽温度范围等优点，适用于工业和商业应用。该SRAM芯片采用55ns的访问时间，使其适用于需要快速数据存取的高性能系统。AS6C6264-55SCN封装为28引脚SOIC（小型集成电路封装），适合在有限空间内使用，同时提供了良好的电气性能和热稳定性。
容量：64Kbit
组织方式：8K x 8
访问时间：55ns
电源电压：5V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：28引脚SOIC
功耗：典型值为120mA（待机模式下低至10mA）
接口类型：并行接口
数据输入/输出：8位并行
AS6C6264-55SCN SRAM芯片具有多项显著的性能特点，首先是其高速访问时间，达到55纳秒，这使得它非常适合用于需要快速数据读写的应用场景，如高速缓存、数据缓冲器以及嵌入式系统的内存模块。其次，该芯片采用了先进的CMOS制造工艺，不仅提高了芯片的稳定性和可靠性，同时实现了较低的功耗。在工作模式下，其典型电流为120mA，而在待机模式下电流可降低至10mA左右，极大地延长了电池供电设备的续航时间。
此外，AS6C6264-55SCN支持宽温度范围操作，其工业级温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。该芯片的28引脚SOIC封装不仅节省空间，而且便于PCB布局和焊接，适合高密度电路设计。其并行接口设计支持8位数据总线，确保高速数据传输的同时也简化了与微处理器或控制器的连接。
AS6C6264-55SCN还具备良好的抗干扰能力和稳定性，在复杂电磁环境下仍能保持可靠的数据存储和读取性能。该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品、医疗设备以及汽车电子等领域。
AS6C6264-55SCN SRAM芯片适用于多种高性能存储应用，包括但不限于嵌入式系统的高速缓存、数据缓冲器、图像处理存储器、工业自动化控制器、网络设备、测量仪器、手持设备以及汽车电子系统。其高速存取能力和低功耗特性使其特别适合用于需要频繁读写数据的场合，例如实时数据采集系统、视频处理设备以及通信模块中的临时数据存储。
AS6C6264-55TCN, CY6264, IDT7164, HM6264, IS61C6264
