类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.1mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：180W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

VVP3135SAD 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的设计需求。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的开关速度快，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提升整体系统的响应速度。采用TO-263封装形式，具有良好的散热性能，适合高电流应用场景。该MOSFET还具备高雪崩耐量和抗短路能力，增强了器件在恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。其栅极设计优化了驱动电压的响应，降低了驱动损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，VVP3135SAD在制造过程中采用了符合RoHS标准的材料，满足环保要求，适用于工业级和汽车电子应用。其封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提高了制造效率和产品一致性。

VVP3135SAD 广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统、服务器电源、工业自动化设备、汽车电子系统（如电动助力转向、车载充电器）等。由于其高电流能力和低导通电阻特性，该器件特别适合需要高效率和高可靠性的电源管理方案。

VVP3135SAD的替代型号包括：VVP3195SAD、VVP3145SAD、SiR182DP-T1-GE3、IRF1104SPBF