时间：2025/5/15 15:23:12
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HY27UT088G2A-TPCB 是一款由 Hynix（海力士）生产的 NAND 闪存芯片，主要用于数据存储应用。该芯片采用 8Gb（1GB）的存储容量，支持多级单元（MLC）技术，能够以较高的密度和较低的成本提供大容量的存储解决方案。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、消费类电子设备（如数码相机、便携式播放器等）以及需要高容量存储的场景。
存储容量：8Gb (1GB)
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V
封装形式：TSOP
数据传输速率：最高可达 266MT/s
页大小：8KB
块大小：512KB
擦写次数：3000 次（典型值）
工作温度：-40°C 至 +85°C
HY27UT088G2A-TPCB 具备以下主要特性：
1. 高密度存储：单芯片提供 8Gb 的存储容量，适合对存储需求较高的应用场景。
2. 快速读写性能：支持 Toggle Mode 2.0 接口协议，数据传输速率高达 266MT/s，显著提升数据吞吐能力。
3. 多级单元（MLC）技术：通过在每个存储单元中保存多个比特位，有效提高存储密度并降低成本。
4. 高可靠性：具备强大的错误检测与纠正功能（ECC），确保数据的完整性和可靠性。
5. 小型化封装：采用 TSOP 封装，适合空间受限的应用环境。
6. 广泛的工作温度范围：支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围，适应各种严苛的工作条件。
HY27UT088G2A-TPCB 芯片适用于以下领域：
1. 嵌入式系统：为嵌入式设备提供可靠的大容量存储方案。
2. 消费类电子产品：如数码相机、便携式媒体播放器等，满足其对高性能存储的需求。
3. 固态存储设备：用于制造小型固态硬盘或存储卡。
4. 工业控制设备：为需要长时间稳定运行的工业设备提供数据存储支持。
5. 网络通信设备：作为网络路由器、交换机等设备中的存储组件使用。
HY27UT088G2B-TPCB
HY27UF088G2A-TPCB
