H5TC4G83BFR-PBA 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory)类别。这款芯片具有4GB的存储容量,频率为8Gbps,专为高性能计算、图形处理、人工智能和网络设备等对内存带宽和容量有高要求的应用场景设计。
容量:4GB
类型:DRAM(HBM)
频率:8Gbps
电压:1.8V
封装类型:BGA
引脚数:1024
数据宽度:128位
工作温度:0°C至+85°C
H5TC4G83BFR-PBA 采用HBM技术,具备极高的数据传输带宽,能够满足高性能计算和图形处理的需求。其堆叠式封装结构不仅节省空间,还提高了内存密度,适用于需要高带宽和紧凑设计的系统。此外,该芯片具有低功耗特性,适合在对能耗敏感的设备中使用。
该芯片的高带宽特性使其在GPU、AI加速卡、高端网络设备和嵌入式系统中表现优异。其128位的数据宽度和8Gbps的传输速率确保了数据的快速访问,降低了系统延迟,提高了整体性能。同时,其工作温度范围较宽,可在0°C至+85°C之间稳定运行,适应各种严苛环境。
封装方面,H5TC4G83BFR-PBA 采用1024引脚的BGA封装形式,确保了良好的电气性能和稳定性。其1.8V的供电电压设计有助于降低功耗,提高能效比,适合在需要长时间运行的高性能系统中使用。
该芯片广泛应用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能加速器、高端网络设备、嵌入式系统和数据中心服务器等领域。其高带宽和低功耗特性使其成为AI训练和推理、图形渲染、大数据处理等场景的理想选择。
H5TC4G83AFR-PBA, H5TC4G64MFR-PBA