AS41F 是一款常见的电子元器件型号,通常用于信号控制和功率管理相关的应用。该器件是一种高性能、低功耗的场效应晶体管(MOSFET),适用于需要快速开关和高效能转换的电路设计。AS41F 通常采用SOT-23或SOP封装形式,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):100mA
功耗(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOT-23、SOP
AS41F 是一款专为低功耗和高效能设计的N沟道MOSFET。其最大漏源电压为40V,适用于中等电压级别的开关控制。器件的最大连续漏极电流为100mA,使其适合用于小型电子设备的电源管理。AS41F 的最大栅源电压为±20V,提供较大的控制范围,同时具备良好的栅极绝缘性能,确保器件在复杂环境中稳定工作。
此外,该器件的功耗仅为300mW,在高温环境下仍能保持良好的热稳定性。AS41F 的工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种恶劣的工作条件,适用于工业级和商业级应用。其常见的SOT-23和SOP封装形式,使得在PCB布局中占用空间较小,适合高密度电路设计。
AS41F 主要应用于需要高效能开关控制和低功耗管理的电路中。常见应用包括消费电子中的电源管理模块、工业设备的信号控制电路、通信设备的功率转换系统以及便携式设备的电池管理单元。此外,AS41F 还可用于LED驱动、电机控制、传感器信号调节以及各类自动化控制系统中的开关元件。
2N7002, BSS138, FDN302P, FDV301N